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【光电信息大讲堂】第二十五讲-面向传感、存储和射频/微波电子应用的多铁性器件研究

发布时间:2016-03-11 09:33

报告题目:面向传感、存储和射频/微波电子应用的多铁性器件研究
Integrated Multiferroics for Compact and Power Efficient Sensing, Memory, RF and Microwave Electronics
       
时    间:  2016年1月7日 下午 14:30 - 16:30
地    点:  南五楼613学术报告厅
报 告 人::  Nian X Sun  教授, 美国东北大学
邀请人:  龚荣洲  教授
  
报告人: 美国东北大学电机与计算机工程系教授,W.M. Keck集成铁性研究实验室主任、IEEE Transactions on Magnetics杂志编辑、美国物理学会和工程技术学会会士。斯坦福大学取得博士学位,入职东北大学前先后在IBM和Hitachi Global Storage Technologies从事研究工作。曾荣获NSF CAREER Award, ONR Young Investigator Award, the Søren Buus Outstanding Research Award等奖项。主要从事新型磁性、铁电和多铁性材料、器件和子系统研究。已在国际知名刊物发表论文180余篇、专利超过20项,其中一篇文章被Adv Funct Mater杂志选为近十年(2001~2010年)十佳论文,已受邀参加100余次各类国际学术交流活动。


报告摘要:       本讲座将介绍集成效应多铁性器件的一些最新研究进展,包括直流/射频磁场下具有皮特斯拉级灵敏度的新型射频纳米磁电谐振器,以及新型宽频磁性和多铁性电感器;此外,将阐述其它电压调控型多铁性器件,如电压调制多铁带通滤波器、带阻滤波器、相移器、磁电随机存储器等。这些新型集成多铁性器件在紧凑、轻量化和高效传感、存储、射频/微波集成电子器件领域应用前景广阔。
    In this presentation, I will cover the most recent progress on new integrated multiferroic devices for sensing, memory, RF and microwave electronics, including novel RF NEMS magnetoelectric resonators with picoTesla sensitivity for DC and RF magnetic fields, and novel GHz magnetic and multiferroic inductors with a wide operation frequency range of 0.3~3GHz, and a high quality factor of close to 20, and a voltage tunable inductance of 50%~150%. At the same time, we will demonstrate other voltage tunable multiferroic devices, including voltage tunable multiferroic bandpass filters, tunable bandstop filters, tunable phase shifters, magnetoelectric random access memory, etc. These novel integrated multiferroic devices show great promise for applications compact, lightweight and power efficient sensing, memory, RF and microwave integrated electronics.